• 濰坊凱華碳化硅微粉有限公司
    碳化硅在功率器件領域的應用
    點擊次數:   更新時間:22/03/22 11:23:03     來源:www.trapuzarrak.com關閉分    享:
      碳化硅的帶隙是硅(寬帶隙)的2.8倍,達到3.09電子伏特,其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,達到3.2MV/cm,導熱系數是硅的3.3倍,4W/cm。肖特基二極管和MOS場EF。碳化硅制成的FECT晶體管的厚度比同一耐壓硅器件大一個數量級,硅的雜質濃度可以達到2個數量級,因此碳化硅器件的單位面積阻抗僅為THA的100。
      硅器件的漂移電阻幾乎等于器件的總電阻,因此碳化硅器件的發熱值很低,這有助于降低傳導損耗和開關損耗,其工作頻率通常比硅高10倍。此外,碳化硅半導體具有固有的強抗輻射性。
      近年來,采用碳化硅材料制備的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)可以通過使用小型注射技術將普通硅器件中的IGBT降低到1/10,并結合碳化硅器件的小熱值來實現其導熱性。碳化硅器件的優良性能,碳化硅功率器件在400℃的高溫下也能正常工作,通過小體積器件可以控制大電流,工作電壓也更高。
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